Two-step mesa p-GaN gated anode diode for low-power rectification applications
Two-step mesa p-GaN gated anode diode for low-power rectification applications
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适用于低功率整流应用的两步台面 p-GaN 栅极阳极二极管
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Yuwei Zhang and Naotaka Iwata
中科院分区：
文献类型：
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作者：
川田 宗一郎;ジャン ユーウェイ;岩田直高;Yuwei Zhang and Naotaka Iwata
