Growth mode of AlN epitaxial layers on 6H-SiC by plasma assisted molecular beam epitaxy
Growth mode of AlN epitaxial layers on 6H-SiC by plasma assisted molecular beam epitaxy
复制标题
等离子体辅助分子束外延在6H-SiC上AlN外延层的生长模式
DOI：
10.1016/s0022-0248(99)00582-5
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发表时间：
2000
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Yoshida
中科院分区：
文献类型：
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作者：
G. Ferro;H. Okumura;S. Yoshida
