単結晶AlN基板上AlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価 (II)
単結晶AlN基板上AlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価 (II)
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单晶 AlN 衬底上 AlGaInN/GaN HEMT 的制备与表征（二）
DOI：
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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
三好 実人
中科院分区：
文献类型：
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作者：
川出 智之;田中 さくら;井上 暁喜;江川 孝志;三好 実人
