semiconducting properties in bilayer graphene under the ultara-high displacement
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复制标题
超高位移下双层石墨烯的半导体特性
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Nagashio
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. L. Qi;K. Nagashio;T. Nishimura;A. Toriumi;K. Nagashio;長汐晃輔;K. Nagashio;長汐晃輔;K. Nagashio;長汐晃輔;長汐晃輔;K. Nagashio;K. Nagashio
