Photoluminescence from single is electronic traps in nitrogen delta-doped GaAs grown on GaAs(111)A
Photoluminescence from single is electronic traps in nitrogen delta-doped GaAs grown on GaAs(111)A
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GaAs(111)A 上生长的氮 δ 掺杂 GaAs 中单层电子陷阱的光致发光
DOI：
10.1016/j.physe.2009.12.011
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Onabe
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Fukushima;Y. Hijikata;H. Yaguchi;S. Yoshida;M. Okano;M. Yoshita;H. Akiyama;S. Kuboya;R. Katayama;K. Onabe
