GaAs半導体表面の光励起による単一THz FELパルスの取り出し
GaAs半導体表面の光励起による単一THz FELパルスの取り出し
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通过 GaAs 半导体表面光激发提取单个太赫兹 FEL 脉冲
DOI：
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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
川瀬 啓悟
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Obayashi;A. Iwase;Y. Kaneno;T. Matsui;T. Wada;H. Kato;N. Ishikawa;F. Hori;川瀬 啓悟
