Characterization of tunneling current in ultra-thin gate oxide
Characterization of tunneling current in ultra-thin gate oxide
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超薄栅氧化层中隧道电流的表征
DOI：
10.1016/s0038-1101(00)00128-3
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发表时间：
2000
影响因子：
1.7
通讯作者：
E. Sangiorgi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Ghetti;Chun;M. Mastrapasqua;E. Sangiorgi
