E.Tokumitsu: "Heavily Carbon-Doped P-Type InGaAs by MOMBE" J.Crystal Growth. 120. 301-305 (1992)
E.Tokumitsu: "Heavily Carbon-Doped P-Type InGaAs by MOMBE" J.Crystal Growth. 120. 301-305 (1992)
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E.Tokumitsu：“MOMBE 的重碳掺杂 P 型 InGaAs”J.晶体生长。
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