Influence of Isoelectronic Te Doping on the Physical Properties of ZnO Films Grown by Molecular-Beam Epitaxy
Influence of Isoelectronic Te Doping on the Physical Properties of ZnO Films Grown by Molecular-Beam Epitaxy
复制标题
等电子Te掺杂对分子束外延ZnO薄膜物理性能的影响
DOI：
10.7567/jjap.52.055501
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
T. Taishi and I. Yonenaga
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S-H. Park;T. Minegishi;D-C. Oh;D-J. Kim;J-H. Chang;T. Yao;T. Taishi and I. Yonenaga
