Fluorescence X-ray Holography of Sn from Sn: β-Ga2O3 widegap oxide semiconductor.
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Sn：β-Ga2O3 宽禁带氧化物半导体中 Sn 的荧光 X 射线全息术。
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A. Kuramata
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Miki;N. Happo;K. Kimura;K. Sasaki;Y. Tang ;K. Nawata;H. Kitafuji;S. Kitamura;H. Ozaki;K. Hisatsune;R. Yamaguchi;H. Tajiri;S. Yamakoshi;K. Hayashi;A. Kuramata
