GaN-based MIS-HEMTs with Al2O3 dielectric deposited by low-cost and environmental-friendly mist-CVD technique
GaN-based MIS-HEMTs with Al2O3 dielectric deposited by low-cost and environmental-friendly mist-CVD technique
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采用低成本、环保的雾气 CVD 技术沉积的具有 Al2O3 电介质的 GaN 基 MIS-HEMT
DOI：
10.35848/1882-0786/abe19e
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发表时间：
2021
影响因子：
2.3
通讯作者：
Zenji Yatabe
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Rui Shan Low;Joel T. Asubar;Ali Baratov;Shunsuke Kamiya;Itsuki Nagase;Shun Urano;Shinsaku Kawabata;Hirokuni Tokuda;Masaaki Kuzuhara;Yusui Nakamura;Kenta Naito;Tomohiro Motoyama;Zenji Yatabe
