Determination of the Ge-nanocrystal/SiO 2 matrix interface trap density from the small signal response of charge stored in the nanocrystals
Determination of the Ge-nanocrystal/SiO 2 matrix interface trap density from the small signal response of charge stored in the nanocrystals
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DOI：
10.1103/physrevb.82.195415
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发表时间：
2010-11
影响因子：
3.7
通讯作者：
R. Peibst;J. S. Sousa;K. Hofmann
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. Peibst;J. S. Sousa;K. Hofmann
