T.Shiosaki: "Characterization of PZT Films Grown by MOCVD on 6-8 Inch Si Wafers" Integrated Ferroelectrics. 7. 111-121 (1995)
T.Shiosaki: "Characterization of PZT Films Grown by MOCVD on 6-8 Inch Si Wafers" Integrated Ferroelectrics. 7. 111-121 (1995)
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T.Shiosaki：“通过 MOCVD 在 6-8 英寸硅晶片上生长的 PZT 薄膜的表征”集成铁电体。
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