Doubling the ZT record of TiS2-based thermoelectrics by incorporation of ionized impurity scattering

Doubling the ZT record of TiS2-based thermoelectrics by incorporation of ionized impurity scattering
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通过结合电离杂质散射将 TiS2 基热电材料的 ZT 记录加倍

DOI:
10.1039/c8tc00914g
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发表时间:
2018-09
影响因子:
6.4
通讯作者:
Lu Chunhua
Lu Chunhua
中科院分区:
材料科学2区
文献类型:
--
作者:
Wang Yifeng;Pan Lin;Li Chao;Tian Ruoming;Huang Rong;Hu Xiaohui;Chen Changchun;Bao Ningzhong;Koumoto Kunihito;Lu Chunhua

文献摘要

参考文献

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1T-type TiS2 has been recognized as a promising environmentally friendly thermoelectric material with a record ZT of around 0.4 so far. We hereby report the high thermoelectric performance of a series of TiS2–xAgSnSe2 composites with nano-AgSnSe2 as an io
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