Strain field around dislocations in silicon mesured by GPA
Strain field around dislocations in silicon mesured by GPA
复制标题
用 GPA 测量硅位错周围的应变场
DOI：
--
复制
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
K. Higashida
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
D. Adhika;M. Tanaka;T. Yamamoto;K. Higashida
