トランジスタ構造を用いて導出した4H-SiCの真性キャリア密度
トランジスタ構造を用いて導出した4H-SiCの真性キャリア密度
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使用晶体管结构导出的 4H-SiC 的本征载流子密度
DOI：
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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
土田秀一
中科院分区：
文献类型：
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作者：
浅田 聡志;村田晃一;土田秀一
