F4-TCNQ 分子を用いたホールドーピングによる自然酸化 Si(111)表面の電気伝導度変化
F4-TCNQ 分子を用いたホールドーピングによる自然酸化 Si(111)表面の電気伝導度変化
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F4-TCNQ 分子空穴掺杂改变自然氧化 Si(111) 表面的电导率
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
吉本真也
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Okazakif;他7名;吉本真也
