Poly type dependence of permittivity of SiC films

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SiC 薄膜介电常数的多晶型依赖性

DOI:
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发表时间:
2008
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
J. Nakamura
J. Nakamura
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
J. Nakamura;A. Natori;涌井貞一;谷内良亮;田村雅大;田村雅大;谷内良亮;涌井貞一;J. Nakamura;J.Nakamura;J.Nakamura;S. Wakui;K. Sato;R. Yanai;J. Nakamura;J. Nakamura

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