CNTローカルゲートを用いたhBN/MoSe2/hBNデバイスの作製とその評価
CNTローカルゲートを用いたhBN/MoSe2/hBNデバイスの作製とその評価
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使用 CNT 局栅制造和评估 hBN/MoSe2/hBN 器件
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
北浦 良
中科院分区：
文献类型：
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作者：
堀田 貴都;中嶋 春奈;井ノ上 泰輝;千足 昇平;上野 啓司;渡邊 賢司;谷口 尚;丸山 茂夫;北浦 良
