Change in Current Induced from Silicon Carbide Metal. Oxide-Semiconductor Capacitors by Oxygen Ions

Change in Current Induced from Silicon Carbide Metal. Oxide-Semiconductor Capacitors by Oxygen Ions
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碳化硅金属引起的电流变化。

DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
Proc. of 9th Internat. Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications
影响因子：
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通讯作者：
S. Nozaki
S. Nozaki
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
T. Ohshima;N. Iwamoto;S. Onoda;T. Makino;M. Deki;S. Nozaki

文献摘要

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