Tomoaki Hatayama: "Controlled Carbonization of Si(001)surface using hydrocarbon radicals in ultrahigh vacuum" Proc.4th Intn'l Conf.Chemical Beam Epitaxy & Related Growth Techniques,Nara. 113-114 (1993)
Tomoaki Hatayama: "Controlled Carbonization of Si(001)surface using hydrocarbon radicals in ultrahigh vacuum" Proc.4th Intn'l Conf.Chemical Beam Epitaxy & Related Growth Techniques,Nara. 113-114 (1993)
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Tomoaki Hatayama：“在超高真空中使用烃基控制 Si(001) 表面的碳化”Proc.4th Intnl Conf.Chemical Beam Epitaxy
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