The core Structure Of Pure Edge Threading Dislocations In Gan Layers Grown On [0001] SiC Or Sapphire By Mbe
The core Structure Of Pure Edge Threading Dislocations In Gan Layers Grown On [0001] SiC Or Sapphire By Mbe
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Mbe 在 [0001] SiC 或蓝宝石上生长的 Gan 层中纯边缘螺纹位错的核心结构
DOI：
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发表时间：
1997
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
G. Nouet
中科院分区：
文献类型：
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作者：
P. Ruterana;V. Potin;G. Nouet
