N-O Co-Doped Sb2Te3 Chalcogenide for High Performance Artificial Synaptic Device
N-O Co-Doped Sb2Te3 Chalcogenide for High Performance Artificial Synaptic Device
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用于高性能人工突触器件的 N-O 共掺杂 Sb2Te3 硫属化物
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Niiyama and T. Fujiwara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Yin;K. Niiyama and T. Fujiwara
