モノメチルシラン、ヘキサメチルジシラザンを用いた高周波プラズマCVD法によるSi添加およびSi、N添加DLC膜の膜特性評価
モノメチルシラン、ヘキサメチルジシラザンを用いた高周波プラズマCVD法によるSi添加およびSi、N添加DLC膜の膜特性評価
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使用单甲基硅烷和六甲基二硅氮烷的高频等离子体 CVD 法评价添加 Si 和添加 Si、N 的 DLC 膜的膜特性
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
中澤日出樹
中科院分区：
文献类型：
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作者：
三浦創史;鎌田亮輔;中澤日出樹
