Dislocation-limited electron transport in InSb grown on GaAs(001)
Dislocation-limited electron transport in InSb grown on GaAs(001)
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GaAs(001) 上生长的 InSb 中的位错限制电子传输
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and S. Yamada
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Sato;T. Suzuki;S. Tomiya;and S. Yamada
