Q.D.M.Khosru: "High-quality NH_3-annealed atomic layer deposited Si-nitride/SiO_2 stack gate dielectrics for sub-100nm technology generations"Solid-State Electronics. 46. 1659-1664 (2002)
Q.D.M.Khosru: "High-quality NH_3-annealed atomic layer deposited Si-nitride/SiO_2 stack gate dielectrics for sub-100nm technology generations"Solid-State Electronics. 46. 1659-1664 (2002)
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Q.D.M.Khosru：“用于亚 100 纳米技术世代的高质量 NH_3 退火原子层沉积的氮化硅/SiO_2 堆叠栅极电介质”固态电子学。
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