シリコン点欠陥 (G-center) 由来の狭帯域エレクトロルミネセンスとその温度依存性
シリコン点欠陥 (G-center) 由来の狭帯域エレクトロルミネセンスとその温度依存性
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硅点缺陷（G 中心）产生的窄带电致发光及其温度依赖性
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
深津晋
中科院分区：
文献类型：
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作者：
安武裕輔;大村史倫;田名網宣成;村田晃一;三木一司;深津晋
