A Scalable Network Model for Electrically Tunable Ferroelectric Domain Structure in Twistronic Bilayers of Two-Dimensional Semiconductors.
A Scalable Network Model for Electrically Tunable Ferroelectric Domain Structure in Twistronic Bilayers of Two-Dimensional Semiconductors.
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二维半导体双电层中电可调铁电畴结构的可缩放网络模型。
DOI：
10.1021/acs.nanolett.1c04210
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发表时间：
2022-02-23
期刊：
影响因子：
10.8
通讯作者：
Fal'ko, Vladimir, I
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Enaldiev, Vladimir V.;Ferreira, Fabio;Fal'ko, Vladimir, I
具有破碎对称界面的小角度扭曲的二维(2D)半导体双层膜中的Moiré结构形成了周期性交替的面外极化的铁电(FE)磁畴阵列。在这里，我们提出了一种网络理论，通过施加垂直于2D晶体的电场来描述这种FE磁畴结构的可调性。利用多尺度分析，我们推导出了一种完全参数化的弦理论描述的磁区壁网络(DWN)，并证明了在与DWN周期相关的阈值位移场上发生的类似部分位错(PD)的弧形(靠近网络节点)合并成完全螺型位错(PSD)条纹之后，该网络发生了质的变化。
Moiré structures in small-angle-twisted bilayers of two-dimensional (2D) semiconductors with a broken-symmetry interface form arrays of ferroelectric (FE) domains with periodically alternating out-of-plane polarization. Here, we propose a network theory for the tunability of such FE domain structure by applying an electric field perpendicular to the 2D crystal. Using multiscale analysis, we derive a fully parametrized string-theory-like description of the domain wall network (DWN) and show that it undergoes a qualitative change, after the arcs of partial dislocation (PD) like domain walls merge (near the network nodes) into streaks of perfect screw dislocations (PSD), which happens at a threshold displacement field dependent on the DWN period.
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影响因子：
64.8
作者：
Gadelha, Andreij C.;Ohlberg, Douglas A. A.;Jorio, Ado
通讯作者：
Jorio, Ado
影响因子：
2.7
作者：
Giannozzi, P.;Andreussi, O.;Baroni, S.
通讯作者：
Baroni, S.
DOI：
10.1073/pnas.1309394110
发表时间：
2013-07-09
影响因子：
11.1
作者：
Alden, Jonathan S.;Tsen, Adam W.;McEuen, Paul L.
通讯作者：
McEuen, Paul L.
影响因子：
4.6
作者：
Ferreira F;Enaldiev VV;Fal'ko VI;Magorrian SJ
通讯作者：
Magorrian SJ
影响因子：
64.8
作者：
Lu, Xiaobo;Stepanov, Petr;Efetov, Dmitri K.
通讯作者：
Efetov, Dmitri K.