Charge trapping correction in Ge spectrometers

Charge trapping correction in Ge spectrometers
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锗能谱仪中的电荷捕获校正

DOI：
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发表时间：
1989
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
R. Trammel
R. Trammel
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
M. L. Simpson;T. Raudorf;T. J. Paulus;R. Trammel

文献摘要

被引文献

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建立了一个不需要浅能级脱陷假设的电荷俘获模型。该模型示出了电荷俘获亏损与S/sub 0/t/sup N/成比例，其中S/sub 0/是整形放大器脉冲的峰值幅度，t是被俘获的载流子的电荷收集时间，并且1.5 >
A charge-trapping model is developed which does not require the assumption of shallow-level detrapping. The model shows the charge-trapping deficit to be proportional to S/sub 0/t/sup N/, where S/sub 0/ is the peak amplitude of the shaping amplifier pulse, t is the charge collection time for the carrier being trapped, and 1.5 >