Thermal Conductivity and Thermoelectric Figure of Merit of Thin Antimony Films
Thermal Conductivity and Thermoelectric Figure of Merit of Thin Antimony Films
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DOI：
10.1002/pssb.2221580213
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发表时间：
1990-04
影响因子：
1.6
通讯作者：
F. Völklein;E. Kessler
中科院分区：
文献类型：
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作者：
F. Völklein;E. Kessler
在80 ~ 400 K温度范围内测量了厚度为27 ~ 230 nm的Sb薄膜的热导率λ和热电优值Z。晶格热导率λφ由测量的总热导率λ和计算的电荷载流子贡献λe确定。结果进行了讨论的两个带模型的框架内的电荷载流子和声子的晶界和表面散射模型。比较了各向同性薄膜和织构薄膜的输运性质。在80至400 K的温度范围内，在27至230 nm的韦尔登范围内对Sb-Schichten进行了热电性能测试和热电效率测试。Gitterwarmeleitfahigkeit λφ wird aus der gemessenen Warmeleitfahigkeit λ und dem berechneten Ladungstrageranteil λe bestimmt.在拉曼地区的韦尔登是一个用于拉张的Z维班模型和一个用于声子散射的声学模型和上flachenstreuung。各向同性体和织构体的输运过程韦尔登是一种非常复杂的过程。
The thermal conductivity λ and thermoelectric figure of merit z of Sb films with thicknesses from 27 to 230 nm are measured in the temperature range 80 to 400 K. The lattice thermal conductivity λφ is determined from the measured total thermal conductivity λ and the calculated charge carrier contribution λe. The results are discussed in the framework of a two-band model for the charge carriers and of a grain boundary and surface scattering model for phonons. The transport properties of isotropic and texturized films are compared. Die Warmeleitfahigkeit λ und die thermoelektrische Effektivitat z von Sb-Schichten mit Schichtdicken von 27 bis 230 nm werden im Temperaturbereich 80 bis 400 K gemessen. Die Gitterwarmeleitfahigkeit λφ wird aus der gemessenen Warmeleitfahigkeit λ und dem berechneten Ladungstrageranteil λe bestimmt. Die Ergebnisse werden im Rahmen eines Zweiban-Modells fur die Ladungstrager und eines Modells der Korngrenzen- und Oberflachenstreuung von Phononen diskutiert. Die Transporteigenschaften von isotropen und texturierten Schichten werden miteinander verglichen.