A Combinatorial Approach to the Ferroelectric Properties in HfxZr1-xO2 Deposited by Atomic Layer Deposition
A Combinatorial Approach to the Ferroelectric Properties in HfxZr1-xO2 Deposited by Atomic Layer Deposition
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原子层沉积 HfxZr1-xO2 铁电性能的组合方法
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Jiyoung Kim
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Jaidah Mohan;Si Joon Kim;Heber Hernandez-Arriga;Yong Chan Jung;Takashi Onaya;Harrison S. Kim;Namhun Kim;Kihyun Kim;Atsushi Ogura;Rino Choi;Myung Mo Sung;and Jiyoung Kim
