Piezoelectric photothermal and surface photo-voltage studies of carrier recombination mechanism at interface of Si p-n junction
Piezoelectric photothermal and surface photo-voltage studies of carrier recombination mechanism at interface of Si p-n junction
复制标题
Si p-n结界面载流子复合机制的压电光热和表面光电压研究
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Ikari
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Uchibori;H.Chuman;H.Hayashi;S.Sonoda;P.Wang;A.Fukuyama;T.Ikari
