Development of Reactive Surface Preparation for Room Temperature Silicon Carbide Film Deposition from Monomethylsilane Gas
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单甲基硅烷气体室温碳化硅薄膜沉积反应表面制备的发展
DOI：
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发表时间：
2011
影响因子：
1.5
通讯作者：
Ken-Ichi Kote
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hitoshi Habuka;Ken-Ichi Kote
