Investigation of Plasma Induced Etch Damage/Changes in AlGaN/GaN HEMTs
Investigation of Plasma Induced Etch Damage/Changes in AlGaN/GaN HEMTs
复制标题
AlGaN/GaN HEMT 中等离子体诱导蚀刻损伤/变化的研究
DOI：
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发表时间：
2021
影响因子：
0.5
通讯作者：
Ofiare A.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Ofiare A.
