Monolithically integration of GaN light-emitting diode and Si substrate with AlN/GaN superlattice as interlayer
Monolithically integration of GaN light-emitting diode and Si substrate with AlN/GaN superlattice as interlayer
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以AlN/GaN超晶格为中间层的GaN发光二极管与Si衬底的单片集成
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K.Hane
中科院分区：
文献类型：
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作者：
F.R.Hu;M.Wakui;H.Sameshima;R.Ito;K.Hane
