Theoretical ESR g Values in Rubrene and Oligoacenes: Implication to Molecular Orientation at Interfaces in Organic FETs
Theoretical ESR g Values in Rubrene and Oligoacenes: Implication to Molecular Orientation at Interfaces in Organic FETs
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红荧烯和寡并苯中的理论 ESR g 值：对有机 FET 界面分子取向的影响
DOI：
10.1080/15421406.2012.701113
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
and S. Kuroda
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Y. Shimoi;K. Marumoto;and S. Kuroda
用密度泛函理论计算方法，从理论上研究了Rubrene和寡烯的分子g张量。计算的Rubrene g位移的各向异性很好地解释了用场诱导电子自旋共振(FI-ESR)测量观察到的实验结果。我们证明了FI-ESR技术和分子g张量的计算相结合是确定有机场效应晶体管界面分子取向的一种非常有用的方法。
Using density functional theory calculations, molecular g tensors are theoretically investigated for rubrene and oligoacenes. The anisotropy in the calculated g shifts of rubrene well explains experimental results observed by field-induced electron spin resonance (FI-ESR) measurements. We demonstrate that the combination of the FI-ESR technique and the calculation of molecular g tensor is a quite useful approach to determine the molecular orientation at interfaces in organic field-effect transistors.
噻吩并噻吩基小分子 C8-BTBT 高迁移率有机晶体管中电荷载流子的 ESR 观察
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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作者：
H. Tanaka;M. Kozuka;S. Watanabe;Y. Shimoi;K. Takimiya;and S. Kuroda
通讯作者：
and S. Kuroda
H-ZSM-5 沸石和 CFCL3 基质上萘的自由基阳离子。
影响因子：
2.9
作者：
R. Erickson;N. Benetis;A. Lund;M. Lindgren
通讯作者：
M. Lindgren
DOI：
10.1107/s0108768190008382
发表时间：
1990-12-01
期刊：
ACTA CRYSTALLOGRAPHICA SECTION B-STRUCTURAL SCIENCE
影响因子：
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作者：
BROCK, CP;DUNITZ, JD
通讯作者：
DUNITZ, JD