Visualizing ferromagnetic domains in magnetic topological insulators
Visualizing ferromagnetic domains in magnetic topological insulators
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磁拓扑绝缘体中铁磁畴的可视化
DOI：
10.1063/1.4921093
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发表时间：
2015-05
期刊：
影响因子：
6.1
通讯作者：
Wu Weida
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wang Wenbo;Yang Fang;Gao Chunlei;Jia Jinfeng;Gu G. D.;Wu Weida
本文报道了用磁力显微镜(MFM)系统地研究了(Bi0.1Sb0.9)2Te3磁性拓扑绝缘体单晶和薄膜样品中的铁磁畴。MFM和原位电阻数据的温度和场依赖关系与先前的体输运和磁特性一致。在单晶和薄膜中都观察到了泡状的铁磁畴。在磁性拓扑绝缘体薄膜中观察到较小的磁区尺寸(∼5 0 0 nm)和较窄的磁区壁(∼15 0−30 0 nm)，这可能是由于垂直限制效应。这些结果表明，薄膜在手性边态的可视化方面更有前景。
We report a systematic study of ferromagnetic domains in both single-crystal and thin-film specimens of magnetic topological insulators Cr doped (Bi0.1Sb0.9)2Te3 using magnetic force microscopy (MFM). The temperature and field dependences of MFM and in situ resistance data are consistent with previous bulk transport and magnetic characterization. Bubble-like ferromagnetic domains were observed in both single crystals and thin films. Significantly, smaller domain size (∼500 nm) with narrower domain wall (∼150 − 300 nm) was observed in thin films of magnetic topological insulators, likely due to vertical confinement effect. These results suggest that thin films are more promising for visualization of chiral edge states.
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