AIP 法により生成した窒化クロム薄膜のドロップレット量の残留応力および基板設置位置依存性
AIP 法により生成した窒化クロム薄膜のドロップレット量の残留応力および基板設置位置依存性
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AIP法制备氮化铬薄膜中液滴量的残余应力和基板安装位置依赖性
DOI:
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发表时间:
2021
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
川崎森生,岡 翼,日下一也 ,米倉大介
中科院分区:
文献类型:
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作者:
川崎森生,岡 翼,日下一也 ,米倉大介
影响因子:
1.6
作者:
M. Kobold;P. Beaujean
通讯作者:
P. Beaujean