スパッタリング法によるHfO2基強誘電体厚膜のシリコン基板上への室温成膜とその電気特性および圧電特性評価
スパッタリング法によるHfO2基強誘電体厚膜のシリコン基板上への室温成膜とその電気特性および圧電特性評価
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溅射法在硅衬底上室温沉积HfO2基铁电厚膜及其电学和压电性能评价
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
舟窪 浩
中科院分区：
文献类型：
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作者：
志村 礼司郎;三村 和仙;舘山 明紀;清水 荘雄;舟窪 浩
