Effect of H_2 carrier gas on the physical propenies of GaN layer grown by using Ga_2O vapor and NH_3
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H_2载气对Ga_2O蒸气和NH_3生长GaN层物理性质的影响
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Yuan Bu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yuan Bu;Akira Kitamoto;Hiroaki Takatsu;Masami Juta;Tomoaka Sumi;Marnoru Imade;Masashi Yoshimura;Masashi Isemura and Yusuke Mori;Yuan Bu;Yuan Bu
