Structural and Electronic Properties of Barium Silicide on Si(100)
Structural and Electronic Properties of Barium Silicide on Si(100)
复制标题
Si(100)上硅化钡的结构和电子性质
DOI：
10.1143/jjap.41.4965
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发表时间：
2002
影响因子：
1.5
通讯作者：
K. Ueda
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
K. Ojima;M. Yoshimura;K. Ueda
用扫描隧道显微镜/光谱（STM/STS）研究了Si（100）表面上形成的钡硅化物。硅化物表面的结构取决于制备过程;当样品温度为850 K时，在Si（100）上沉积2个单层（ML）的Ba时，在表面上存在3种硅化物相;而当样品温度为室温时，在Si（100）上沉积2个ML的Ba，然后在850 K下退火时，在表面上出现3种硅化物相中的2种。STS结果表明，所有相均表现出半导体性质，禁带宽度为1.3eV，其中一相的局域态密度（LDOS）在费米能级以下2.5eV处，这与亚稳态去激发谱（MDS）和紫外光电子能谱（UPS）的结果一致.
Barium silicides formed on the Si(100) surface have been investigated by scanning tunneling microscopy/spectroscopy (STM/STS). The structure of the silicide surface depends on the preparation procedure; three kinds of silicide phases coexist on the surface when 2 monolayers (MLs) of Ba are deposited on Si(100) at the specimen temperature of 850 K, while two of the three phases appear when 2 MLs of Ba are deposited on Si(100) at room temperature, followed by annealing at 850 K. The STS result indicates that all the phases show semiconducting behavior with a band gap of ∼ 1.3 eV and that one of the three phases has local density of states (LDOS) at 2.5 eV below the Fermi energy, which coincides with the reported results of metastable de-excitation spectroscopy (MDS) and ultraviolet photoelectron spectroscopy (UPS).
S. Hongo：“通过钾吸附从氘端硅 (100) 中获得 D_2 的新解吸状态”表面科学。
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