CMOS compatible in-situ n-type doping of ge using new generation doping agents P(MH3)3 and As(MH3)3 (M=Si, Ge)
CMOS compatible in-situ n-type doping of ge using new generation doping agents P(MH3)3 and As(MH3)3 (M=Si, Ge)
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使用新一代掺杂剂 P(MH3)3 和 As(MH3)3 (M=Si, Ge) 进行 CMOS 兼容的原位 n 型 Ge 掺杂
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J. Menéndez
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Chi Xu;J. Gallagher;C. L. Senaratne;P. Sims;J. Kouvetakis;J. Menéndez
