Gate-controlled switching between persistent and inverse persistent spin helix states
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DOI：
10.1063/1.4944931
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发表时间：
2016-03
影响因子：
4
通讯作者：
K. Yoshizumi;A. Sasaki;M. Kohda;J. Nitta
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Yoshizumi;A. Sasaki;M. Kohda;J. Nitta
我们展示了持久自旋螺旋（PSH）状态和反 PSH 状态之间的门控切换，这是通过磁导的量子干涉效应检测到的。当 Rashba 自旋轨道相互作用 (SOI) 的强度接近 Dresselhaus SOI 的强度时，这些特殊的对称自旋态表现出弱局域化效应，从而产生长自旋相干性。此外，在两个持续自旋螺旋态的中间，Rashba SOI 可以忽略不计，确定了调制掺杂 InGaAs/InAlAs 量子阱中的体 Dresselhaus SOI 参数。
We demonstrate gate-controlled switching between persistent spin helix (PSH) state and inverse PSH state, which are detected by quantum interference effect on magneto-conductance. These special symmetric spin states showing weak localization effect give rise to a long spin coherence when the strength of Rashba spin-orbit interaction (SOI) is close to that of Dresselhaus SOI. Furthermore, in the middle of two persistent spin helix states, where the Rashba SOI can be negligible, the bulk Dresselhaus SOI parameter in a modulation doped InGaAs/InAlAs quantum well is determined.