Impact of SiGe Layer Thickness in Starting Substrates on Properties of Ultrathin Body Ge-on-insulator pMOSFETs fabricated by Ge Condensation
Impact of SiGe Layer Thickness in Starting Substrates on Properties of Ultrathin Body Ge-on-insulator pMOSFETs fabricated by Ge Condensation
复制标题
起始衬底中的 SiGe 层厚度对 Ge 缩合制造的超薄体绝缘体上 Ge pMOSFET 性能的影响
DOI：
--
复制
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Mitsuru Takenaka and Shinichi Takagi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Kwang-Won Jo;Wu-Kang Kim;Mitsuru Takenaka and Shinichi Takagi
