300℃プロセスによる自己整合四端子Cu-MIC poly-Ge TFT
300℃プロセスによる自己整合四端子Cu-MIC poly-Ge TFT
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300℃工艺自对准四端Cu-MIC多晶硅TFT
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
原明人
中科院分区：
文献类型：
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作者：
内海大樹;原明人
