Recessed gate GaN-based MIS-HEMTs with Al2O3 gate dielectric deposited by mist-CVD method
Recessed gate GaN-based MIS-HEMTs with Al2O3 gate dielectric deposited by mist-CVD method
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采用喷雾 CVD 法沉积 Al2O3 栅介质的凹栅 GaN 基 MIS-HEMT
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Kuzuhara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Ishiguro;S. Urano;R. S. Low;M. Faris;I. Nagase;A. Baratov;J. T. Asubar;T. Motoyama;Y. Nakamura;Z. Yatabe;M. Kuzuhara
