Exponential conduction-band tail in P-doped a-Si:H.
Exponential conduction-band tail in P-doped a-Si:H.
复制标题
P 掺杂 a-Si:H 中的指数导带尾部。
DOI：
10.1103/physrevlett.60.2697
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发表时间：
1988
影响因子：
8.6
通讯作者：
Ley
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Winer;Hirabayashi;Ley
利用光电子分光光度计和开尔文探测器直接测定间隙带中的热辐射分布。通过费米方程的非线性模型技术确定。传导带的队列是精确指数的
Determination directe de la distribution d'etats occupes dans la bande interdite par spectroscopie photoelectronique a rendement total et sonde de Kelvin. Determination par la meme technique des etats inoccupes au-dessus du niveau de Fermi. La queue de la bande de conduction est trouvee exactement exponentielle