Ar Implantation Induced QD Intermixing for 1550nm-Band Highly-Stacked QD Photonic Integrated Devices
Ar Implantation Induced QD Intermixing for 1550nm-Band Highly-Stacked QD Photonic Integrated Devices
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用于 1550nm 波段高度堆叠 QD 光子集成器件的 Ar 注入诱导 QD 混合
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and K. Utaka,
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Matsumoto;Y. Takei;T. Ozaki;K. Akahane;N. Yamamoto;T. Umezawa;T. Kawanishi;Y. Matsushima;and K. Utaka,
