Epitaxial growth of GaN on single-crystal Mo substrates using HfN buffer layers
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DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2008.11.097
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发表时间：
2009-02
影响因子：
1.8
通讯作者：
K. Okamoto;S. Inoue;T. Nakano;J. Ohta;H. Fujioka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Okamoto;S. Inoue;T. Nakano;J. Ohta;H. Fujioka
