High-power AlGaN/GaN dual-gate high electron mobility transistor mixers on SiC substrates
High-power AlGaN/GaN dual-gate high electron mobility transistor mixers on SiC substrates
复制标题
SiC 衬底上的高功率 AlGaN/GaN 双栅高电子迁移率晶体管混频器
DOI：
10.1049/el:20040512
复制
发表时间：
2004
影响因子：
1.1
通讯作者：
T. Egawa
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
K. Shiojima;T. Makimura;T. Kosugi;S. Sugitani;N. Shigekawa;H. Ishikawa;T. Egawa
首次展示了用于大功率混频器的双栅AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）。0.7/spl倍/300 /spl μ/m栅器件在2GHz和5GHz分别获得了19.6dBm和13 dBm的最大输出功率和11 dB的上变频增益。
The first demonstration of dual-gate AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs) for high-power mixers is presented. The 0.7/spl times/300 /spl mu/m gate device achieved the maximum output power of 19.6 dBm and upconversion gain of 11 dB at 2 GHz and 13 dBm and 5 dB at 5 GHz.